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第266章 这才是底牌!

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黎明还在卖关子。

“那就是10纳米!”潘宇肯定道,“5纳米都已经是极限了!”

目前芯片制造使用的FINFET的FIN宽度在5纳米时会达到工艺极限,也就说几乎不可能再提升了。

“错,是3纳米工艺!”喻黎明说道。

“怎么可能是3纳米?这不科学!”潘宇表示难以相信。

“3纳米?我记得高通卖给我们的芯片都才是7纳米工艺,这……我们才研发了多久?”甘华荣也表示不信,其他几人都是同样的想法。

“还是让王老师跟你们讲吧。”喻黎明把舞台交给了王远航。

王远航讲解道:“所谓的5纳米工艺极限,是使用传统的FINFET制造工艺时遇到的工艺极限。但如果我们将MOS管沟道的材料从硅/锗硅改为载流子速率更快的锗,就有办法制造出3NM工艺的芯片。”

“除此之外,我们还能用GAA纳米片FET在FINFET上进行革新的办法。将原来沟道有源区的三个方向包裹变成四个,增强对沟道电流的控制力。或者使用GAA纳米线FET设计……”

高媛俏脸上一脸迷茫:“???”

她完全没有听懂王远航在讲什么,和她一样,乔简,甘华荣也是一脸懵,潘宇虽然听懂了一点,但具体分析还是不太明白。

他们只听懂了最关键的一点,使用了最新工艺后,深空半导体成功的突破了7NM和5NM工艺,制造出了3NM工艺的智能芯片!

这不仅是打破了国外厂商的技术封锁,更是创造了一个全新的记录!这将是一个震惊世界的研究成果!



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